Falter, Matthias

Geb. in Aachen; Vater Buchhalter; 1926 Abitur am Realgymnasium Köln, anschl. bis 1932 Werkstudent bei den Firmen Felten & Guilleaume in Köln-Mühlheim, RWE in Grevenbroich u. Osram in Berlin; 1932 Studium der Math., Chemie u. Physik an den Univ. Berlin u. Köln; 1935 Prom. auf dem Gebiet Hochfrequenztechnik in Köln, anschl. Tätigkeit im Zentrallaboratorium der Siemens & Halske AG Berlin, Arbeiten zur Trägerfrequenz-Telefonie; 1936 techn. Physiker in der Fa. Hochohm GmbH (später von der Hermann Klasing KG Draht- u. Isolierfabrik übernommen), dort 1938 Laboratoriumsltr. u. 1941 techn. Ltr., Untersuchungen zu Präzisionsschicht- u. Kleinstwiderständen. 1945 Ltr. der Abt. Widerstände u. Halbleiter im Berliner Oberspreewerk; 1946 / 51 Tätigkeit in der UdSSR, nach der Rückkehr in die DDR techn. Ltr. im VEB Dralowid Teltow (seit 1952 VEB Werk für Bauelemente der Nachrichtentechnik »Carl von Ossietzky«), 1952 – 59 dort Chefkonstrukteur u. Ltr. der F. u. E-Abt., Entw. grundl. Technologien zur Halbleiterfertigung, 1954 Präsentation des ersten in der DDR entw. Germanium-Transistors auf der Leipziger Messe; 1956 Lehrbeauftragter für Halbleitertechnik an der HU Berlin u. der Univ. Rostock sowie für Dioden- u. Transistortechnik an der TH Dresden, 1958 – 70 Honorarprof. für Elektrotechnik an der TU Dresden; 1960 Dir. des Inst. für Halbleitertechnik Teltow, zuständig für Entw. u. Überleitung von Halbleiterbauelementen in die Serienprod. des VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), dort gleichzeitig techn. Ltr.; 1964 Tätigkeit in der Arbeitsstelle für Molekularelektronik Dresden, später im Applikationszentrum Berlin; 1956 NP; 1959 VVO; 1960 Goldene Ehrennadel der KdT; gest.in Dresden.